工业闪存丨MLC和SLC差距有多大

威固小编发现过去，工业闪存技术的发展仍然遵循SRAM、DRAM、EEPROM(EPROM)等传统内存技术的发展轨迹，在每个存储单元中存储一个二进制数据。然而，这种NAND技术被称为SingleLevelCell或SLC。

在竞争中，为了追求更高的密度和更低的成本，出现了每个单元存储多个二进制数据的新型闪存单元。这种类型的工业闪存被称为MultilevelCell或MLC，每个单元存储两个比特。市场上还有三个比特的Triplelevel或TLC颗粒，但TLC的耐久性极低，P/E周期约为300。因此，即使在控制器和固件技术的帮助下，TLCNAND也不适合工业应用。

因此，威固小编将关注SLC与MLC工业闪存的关键区别，以及这两种类型的技术关键点。

每Bit的密度和成本。

MLC工业闪存每单元Cell存储2比特数据，这意味着对于相同数量的存储，MLC设备的存储物理尺寸小于SLC设备，较小的存储物理尺寸转换为较小的Die尺寸，因此每比特的成本较低。

然而，MLC设备的优点并不是SLC的两倍。原因是MLC需要更复杂的程序和读取电路，从而消耗更多的Die空间。

二、Device级别的性能。

为了在MLC工业闪存单元中存储两位数据，编程电路必须能够在设备的浮动门上放置四个精确的电荷，或者使用与SLC设备相当的电压阈值窗口。图1显示了SLC和MLC的VT分布。

为了准确分配Flash设备浮动门的电荷，需要一个更复杂、更耗时的编程算法。因此，MLC工业闪存的编程时间比SLC工业闪存慢4倍。

读取操作也有类似的性能处罚，因为读取感知电路需要很长时间才能准确区分这四种状态。因此，MLC工业闪存的读取时间是SLC工业闪存的三倍。