高可靠国产存储，军工级数据安全保证——上海威固DRAM芯片

中国存储芯片业崛起，离不开国产企业的不懈努力。上海威固信息在技术研发、产品应用上都取得显著成就，为推动国产存储芯片发展，竞争力提升做出了自己的贡献。

在当今数字化的时代，存储芯片作为信息技术的核心基础组件之一，其重要性不言而喻。在高可靠存储芯片领域，上海威固拥有自己独特的优势。专注高可靠数据存储是我们的信念。威固DRAM芯片达到军工质量要求，相比传统芯片，面积更小，拥有完全自主知识产品，用于航空、航天等高可靠应用，满足无人机、机器人等高集成、小型化、轻量化需求。

威固VGCD3256M72T芯片具有高集成、高可靠的DDR3芯片。采用SIP封装，内部集成了多片DDR3、终端电阻、去耦电容等，采用多片拓扑结构、等长等设计，支持64位或者72位（带8位ECC校验）位宽，采用3D多层堆叠工艺，面积更小，相比传统多片结构，节省面积75%以上，器件数量最多可从9只减少至1只。

VGCD3256M72T DDR3芯片支持单RANK最大512M64（或512M72）容量。总容量可达2GB或更高。

内部集成了地址/控制信号线终端匹配电阻，集成了多片DDR3、去耦电容等

拥有完整自主知识产权和生产工艺

使用设计时，仅考虑与控制器互联信号线的等长设计，无需外部拓扑结构、终端匹配电阻，降低了存储电路设计的难度。内部集成时钟差分电阻，去耦电容，减少信号走线长度，减少寄生电容，提升性能。

适用于航空、航天等高可靠应用，可使用在高海拔低温环境，也可使用在沙漠、大海等高温高湿环境。可广泛应用在无人机、机器人等高集成、小型化、轻量化产品中，也可在军用车载、舰载和机载设备中。

威固® VGC41K512M16HA-125系列芯片是一款全国产化，完全自主可控DDR3，使用双倍速率数据架构实现高速运行的同步动态随机存储器，采用SiP技术两颗裸Die堆叠设计实现存储容量的翻倍。位宽16位，支持最大容量512M16即单片容量8Gb。

使用设计时，与普通的16位芯片设计一致，拓扑结构及等长要求完全相同，数量和占用体积缩减一半。

■ 支持工业级、军温级温度范围

■ 相比传统多片结构，节省面积50%

■ 支持单RANK最大512M16容量

■ 器件数量最多可从4只减少至2只

■ 减少信号走线长度，减少寄生电容，提升性能

■ 全国产化，完全自主可控

■ 适用于航空、航天等高可靠应用

■ 适用于无人机、机器人等高集成、小型化、轻量化应用

总的来说，上海威固信息自主研发的DRAM芯片具有高可靠，高密度，大容量的特点，能够满足严苛环境下的使用，符合国军标要求。采用多层堆叠工艺，能够实现pin to pin进口替代。