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高可靠国产存储,军工级数据安全保证——上海威固DRAM芯片

2024年09月06日 | 威固信息

中国存储芯片业崛起,离不开国产企业的不懈努力。上海威固信息在技术研发、产品应用上都取得显著成就,为推动国产存储芯片发展,竞争力提升做出了自己的贡献。


在当今数字化的时代,存储芯片作为信息技术的核心基础组件之一,其重要性不言而喻。在高可靠存储芯片领域,上海威固拥有自己独特的优势。专注高可靠数据存储是我们的信念。威固DRAM芯片达到军工质量要求,相比传统芯片,面积更小,拥有完全自主知识产品,用于航空、航天等高可靠应用,满足无人机、机器人等高集成、小型化、轻量化需求。





 高集成72位DRAM系列 

相比传统多片结构,节省面积75%以上


威固VGCD3256M72T芯片具有高集成、高可靠的DDR3芯片。采用SIP封装,内部集成了多片DDR3、终端电阻、去耦电容等,采用多片拓扑结构、等长等设计,支持64位或者72位(带8位ECC校验)位宽,采用3D多层堆叠工艺,面积更小,相比传统多片结构,节省面积75%以上,器件数量最多可从9只减少至1只。


名称

VGCD3256M72T

72位DDR3芯片

封装

PBGA321 0.8mm球距

封装

尺寸

13x20x1.17mm

DDR3

数据

速率

800 MT/s,1066 MT/s ,1333MT/s,

1600 MT/s,1866 MT/s,2133 MT/s

容量

2 GB

电源

电压

VCC = 1.5V 士 0.075V 

or 

1.35V -0.065/+0.1V

符合

标准

功能和操作符合DDR3 SDRAM标准

工作

温度

-55℃至+125℃,

满足商业、工业和军工温度范围


01

大容量


VGCD3256M72T DDR3芯片支持单RANK最大512M64(或512M72)容量。总容量可达2GB或更高。

 

02

内部集成存储器


内部集成了地址/控制信号线终端匹配电阻,集成了多片DDR3、去耦电容等

 

03

全国产


拥有完整自主知识产权和生产工艺

 

04

设计方便


使用设计时,仅考虑与控制器互联信号线的等长设计,无需外部拓扑结构、终端匹配电阻,降低了存储电路设计的难度。内部集成时钟差分电阻,去耦电容,减少信号走线长度,减少寄生电容,提升性能。

 

05

适用恶劣环境


适用于航空、航天等高可靠应用,可使用在高海拔低温环境,也可使用在沙漠、大海等高温高湿环境。可广泛应用在无人机、机器人等高集成、小型化、轻量化产品中,也可在军用车载、舰载和机载设备中。




高可靠16位DRAM系列

数量和占用体积缩减一半


威固® VGC41K512M16HA-125系列芯片是一款全国产化,完全自主可控DDR3,使用双倍速率数据架构实现高速运行的同步动态随机存储器,采用SiP技术两颗裸Die堆叠设计实现存储容量的翻倍。位宽16位,支持最大容量512M16即单片容量8Gb。


使用设计时,与普通的16位芯片设计一致,拓扑结构及等长要求完全相同,数量和占用体积缩减一半。


名称


VGC41K512M16HA-125

16位DDR3芯片

封装

FBGA96  Ball 0.8mm球距

MT41K512M16HA-125

DDR3

数据

速率

800 MT/s,1066 MT/s ,1333MT/s,

1600 MT/s,1866 MT/s

容量

1 GB

电源

电压

Vcc=1.5V±0.075V(兼容),

Vcc=1.35V(1.283V~1.45V)

符合

标准

满足JEDEC组织的

JESD79-3F标准要求

工作

温度

-55℃至+125℃,

满足商业、工业和军工温度范围


01

   16位DRAM系列优势特点


■ 支持工业级、军温级温度范围

■ 相比传统多片结构,节省面积50%

■ 支持单RANK最大512M16容量

■ 器件数量最多可从4只减少至2只

■ 减少信号走线长度,减少寄生电容,提升性能

■ 全国产化,完全自主可控

■ 适用于航空、航天等高可靠应用

■ 适用于无人机、机器人等高集成、小型化、轻量化应用




总的来说,上海威固信息自主研发的DRAM芯片具有高可靠,高密度,大容量的特点,能够满足严苛环境下的使用,符合国军标要求。采用多层堆叠工艺,能够实现pin to pin进口替代。


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